Conception
Étages d'amplification symétriques
Composants discrets
Transistors MOS-FET (2 par canal d'amplification)
Alimentation : transformateur torique 170 VA
Total capacitif : 16600 µF
Fonctionne en classe A jusqu'à 10 W, en classe AB au-delà
Mode stéréo ou mono (commutateur en face arrière)
Façade en aluminium, épaisseur 4 mm
Châssis en acier, épaisseur 1,5 mm

Amplification
Puissance efficace :
2 x 60 W sous 8 ohms
2 x 80 W sous 4 ohms
1 x 150 W en mode bridgé mono sous 8 ohms

Mesures
Impédance d’entrée : 110 kohms
Sensibilité : 1,68 V
Rapport Signal/Bruit : 100 dB
Distorsion à 1 KHz : 0,05%/10W
Bande passante : 5 Hz - 200 KHz
Temps de montée : 2 µs

Connectique
1 x entrée RCA
1 x sortie RCA
1 x entrée trigger 12V
Borniers enceintes à vis, contacts plaqués Or

Généralités
Dimensions (lxhxp) : 320 x 83 x 230 mm
Poids : 4 kg